디시오, 1200~2300V SiC MOSFET 출시..."Rₛₚ 2.2mΩ·cm²로 글로벌 전력반도체 독점 깬다"

전창민 기자 / 기사승인 : 2025-12-15 11:49:10
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[메가경제=전창민 기자] 전력반도체 기업 ㈜디시오가 1700V, 2000V, 2300V SiC(실리콘카바이드) MOSFET을 상용화에 성공하며 고전압 전력반도체 시장 공략에 속도를 낸다. 

 

회사는 1200V 제품을 포함한 풀 라인업을 공개하고, 신재생에너지·전기차·산업용 전력변환 장치 분야의 국내 주요 대기업들과 공급을 협의 중이라고 15일 밝혔다.


디시오는 전력반도체를 자체 설계·양산·판매하는 국내 몇 안 되는 전문 기업으로, 소자 뿐만 아니라 전력 모듈까지 제공하는 것이 강점이다. 

 

이번에 선보인 SiC MOSFET 라인업은 △1200V △1700V △2000V △2300V 4가지 전압 등급으로 구성되며, 특히 1700V 이상 제품을 '국내 최초 상용화' 타이틀로 내세웠다. 

 

현재 글로벌 시장에서는 인피니언, 미쓰비시전기, 울프스피드(Wolfspeed), 롬(ROHM) 등이 1200V·1700V급 SiC 디바이스와 모듈을 앞세워 전기차 구동 인버터, 풍력·태양광 인버터, 산업용 등에서 입지를 넓혀가고 있다.

이번 라인업에서 눈길을 끄는 부분은 1200V 제품의 핵심 지표인 단위 면적당 온저항(Rₛₚ)이다. 디시오 1200V SiC MOSFET의 Rₛₚ는 2.2mΩ·cm²로 제시됐다. 이는 글로벌 톱티어 그룹에 직행할 수 있는 수준으로 평가된다.

디시오 관계자는 “1200V급에서 확보한 Low Rₛₚ 설계·공정 기술을 기반으로 1700V, 2000V, 2300V로 전압을 끌어올리면서도 손실과 발열을 효과적으로 억제한 것이 이번 개발의 핵심”이라고 설명했다. 

 

특히 1700~2300V 제품군은 주로 대용량 신재생에너지 설비와 고전압 산업용 인버터 시장을 겨냥한다. 풍력·태양광 인버터, ESS(에너지저장장치)의 PCS, 고압 산업용 모터 드라이브, DC 배전 및 전력변환 장치 등에서 기존 실리콘 IGBT 기반 시스템 대비 효율과 전력밀도를 동시에 높일 수 있다는 것이 회사 측 설명이다. 

 

글로벌 선도 업체들 역시 1700V 및 2300V급 Full-SiC 모듈을 풍력·철도·고압 인버터 등에 적용하며 시스템 소형화와 손실 저감을 강조하고 있다.

디시오는 1200V 및 1700V 제품을 중심으로 산업용 인버터, UPS(무정전전원장치), 용접기·인덕션, 데이터센터용 전원장치 등 고효율이 요구되는 산업 인프라 시장을 공략할 계획이다. 

 

이번 신제품을 통해 글로벌 Top-tier 제품군과 동등한 수준의 전류 전도 능력과 내구성을 확보함으로써, 외산 부품 의존도를 낮추고 국내 공급망 안정성을 높이는 데 기여할 것으로 기대된다.

강미선 디시오 대표는 “이번 고성능 SiC MOSFET 출시는 국내 전력반도체 기술 수준을 한층 끌어올린 의미 있는 성과”라며 “앞으로도 SiC 기반 소자와 고전력 모듈의 제품군을 확장해 글로벌 시장에서도 확실한 기술 경쟁력을 입증하겠다”고 밝혔다.

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