김춘환 SK하이닉스 부사장, 은탑산업훈장 수상... HBM 공정 기틀 마련

신승민 기자 / 기사승인 : 2024-12-02 14:19:22
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[메가경제=신승민 기자] SK하이닉스는 김춘환 부사장(R&D공정 담당)이 지난달 27일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘2024 산업기술 R&D 종합대전’에서 산업기술진흥(기술개발 부문) 유공자로 선정돼 은탑산업훈장을 받았다고 2일 밝혔다.

 

R&D대전은 국내 연구·개발(R&D) 성과를 알리고, 산·학·연 협력을 촉진하고자 산업통상자원부가 주관하는 연례행사다. 이 자리에서는 기술 진흥 및 신기술 실용화에 공이 큰 기술인을 포상하는 ‘산업기술진흥 유공 및 대한민국 기술대상’ 시상식이 진행된다.

 

산업훈장은 산업기술진흥 유공의 최고상격으로, 김 부사장은 아D램과 낸드 플래시를 아우르며 국내 반도체 기술력 향상에 기여한 공을 인정받 은탑산업훈장 수상의 영예를 안았다. 

 

김 부사장은 “요소기술을 원천으로 수익성 높은 고성능 제품을 성공적으로 양산한 공적을 인정받았다”며 “이는 모든 구성원의 헌신과 노력으로 맺은 결실”이라고 소감을 밝혔다. 

 

1992년 SK하이닉스에 입사한 김춘환 부사장은 32년간 메모리 반도체 연구에 매진하며 첨단기술 개발을 이끈 주역이다. 특히 그는 HBM의 핵심인 TSV(Through Silicon Via) 요소기술을 개발하는 데 크게 기여했는데, 개발 선행 단계부터 참여해 15년간 연구를 이어오며, HBM 공정의 기틀을 마련한 것으로 평가받는다.

 

또한 10나노급 5세대(1b) D램 미세 공정에 EUV(극자외선) 장비를 도입해 업계 최고 수준의 생산성과 원가 경쟁력을 확보했고 이를 6세대(1c) D램에도 확대 적용했다. 또, 그는 HKMG(High-K Metal Gate) 기술을 D램에 적용해 메모리 성능·효율을 높이는 등 선단기술에서 눈에 띄는 성과를 냈다.

 

낸드 분야의 혁신도 돋보인다. 김 부사장은 게이트 W 풀필(Gate W Full Fill) 기술로 신뢰성을 높여 수율 안정성을 확보했고, 이를 통해 생산성을 높이는 데 기여했다. 또한, 웨이퍼 본딩(Wafer Bonding) 기술을 개발해 초고층 낸드를 생산하는 데 필요한 핵심 요소기술을 확보했다.

 

김 부사장은 "요소기술을 적기에 개발하려면 실패를 두려워하지 말고 지속해서 도전하고 시도해야 한다"며, "많은 변화가 있겠지만, 멈추지 않고 성장을 추구하자"고 말했다.

 

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